三星推 8nm 射频芯片制程,抢攻 5G 领域

IT之家 6 月 15 日消息 三星电子上周高调宣布开发出 8nm 射频(RF)芯片制程技术,希望抢攻 5G 领域晶圆代工订单。 据悉,三星开发了一种独特的 8nm 射频专用架构,名为 RFextremeFET (RFeFET),可以显着改善射频特性,同时使用更少的功率。 与 14nm RF 相比

乘5G东风,大普在高端时钟和射频细分领域实现全面领先

集微网报道,长期以来,缺芯少屏一直是我们电子信息产业的痛点,通过多年来的政策引导和市场运作,我们已经摆脱了少屏的窘境,缺芯的情况也有所改善。 据数据统计,中国芯片产品全球市占率稳步提升,已经从2004年的0.58%提升到当前的10.3%。 虽然我国半导体

多地加油区叫停”扫码支付”:电磁辐射功率远大于通话

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我国首个自主研发5G微基站射频芯片流片成功

近日,我国首个5G微基站射频芯片YD9601,在南京宇都通讯科技公司经过自主研发流片成功

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